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长鑫存储:国企还是私企?中国 DRAM 突围背后的资本密码

意昂体育介绍 点击次数:107 发布日期:2025-07-26 07:46

一、资本拼图:国资搭台与民企唱戏的共生模式

走进长鑫存储位于合肥空港的 12 英寸晶圆厂,洁净车间里高速运转的光刻机正在雕刻着中国存储芯片的未来。这家成立于 2016 年的企业,其股权结构如同精密的集成电路 —— 第一大股东合肥清辉集电持股 21.67%,背后是合肥市建设投资控股(集团)有限公司的国资身影;国家大基金二期、安徽省投等国有资本合计持股超 20%;而兆易创新创始人朱一明通过战略投资和技术合作深度参与企业运营。

这种混合所有制模式在半导体行业独具特色。不同于传统国企的行政化管理,长鑫存储的决策机制更贴近市场需求。例如,在 2024 年启动的 HBM(高带宽内存)研发项目中,管理层仅用 3 个月就完成了从技术评估到设备采购的全流程,这种效率在国资主导的企业中极为罕见。而国有资本的战略投资则为其提供了坚实的资金后盾 —— 仅 2023 年,大基金二期就联合合肥国资向长鑫新桥项目注资 390 亿元,用于 12 英寸晶圆厂扩建。

二、技术突围:从奇梦达专利到 15nm 制程的逆袭之路

在长鑫存储的技术档案里,有两份文件至关重要:一份是 2019 年从加拿大 WiLAN 公司收购的奇梦达 DRAM 专利包,包含 1000 多万份技术资料;另一份是 2025 年自主研发的 15nm DDR5 芯片设计图纸。这种 “技术引进 + 自主创新” 的双轮驱动,让长鑫存储用 8 年时间走完了国际巨头 20 年的技术积累之路。

2025 年 2 月,长鑫存储宣布 15nm DDR5 芯片进入量产阶段,良品率突破 80%,关键性能指标达到国际一线水平。这背后是其独特的技术研发体系:通过与 ASML、东京电子等设备商联合开发,将极紫外光刻(EUV)前的成熟制程工艺优化到极致。例如,在 17nm 制程上,长鑫通过多次曝光技术实现了与三星 14nm 相当的存储密度,成本却降低了 30%。

三、市场破局:从 5% 到 8% 的全球份额跃迁

在全球 DRAM 市场,三星、SK 海力士、美光三巨头长期占据 95% 的份额。而长鑫存储的出现正在改写这一格局 ——2025 年第一季度,其全球出货量份额从去年的 3% 跃升至 6%,预计年底将突破 8%。这种增长源于精准的市场定位:在智能手机领域,其 LPDDR5 芯片已进入小米、OPPO 等头部品牌供应链;在 AI 服务器市场,与浪潮、曙光合作开发的 DDR5 模组开始批量供货。

更值得关注的是长鑫存储的全球化布局。2024 年与 WiLAN 达成的专利交叉授权协议,不仅解决了海外市场的知识产权风险,还获得了部分高端制程技术的使用权。在封装测试环节,其上海临港基地正在建设 TSV(硅穿孔)产线,目标直指 HBM3 等下一代存储技术。这种 “技术专利化、专利全球化” 的策略,让长鑫存储在国际竞争中掌握了更多主动权。

四、模式启示:混合所有制的中国范式

长鑫存储的成功验证了混合所有制在高科技领域的可行性。合肥市政府通过合肥清辉集电等平台注入战略资本,却不干预具体经营;兆易创新等民企股东带来市场化管理经验,同时共享技术资源。这种 “国资不控股、民企不独行” 的模式,既避免了纯国企的效率瓶颈,又规避了纯民企的融资短板。

在半导体产业竞争白热化的当下,长鑫存储的案例为中国科技企业提供了新思路:通过资本结构创新构建技术护城河,用市场化机制激活创新动能,以全球化视野布局产业链。当 15nm 芯片在合肥的晶圆厂源源不断产出时,我们看到的不仅是一家企业的成长,更是中国半导体产业突破 “卡脖子” 困境的希望之光。

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